До сих пор, солнечные панели из монокристаллического кремния быстро развивались как в исследованиях, так и в индустриализации.

Среди многих факторов, влияющих на элементы C-Si, улучшение качества кремниевых пластин делает объемную рекомбинацию все меньше и меньше, а разработка новых пассивирующих слоев и технологии их приготовления значительно снижает поверхностную рекомбинацию. Среди них рекомбинация металлического электрода и контакта C-Si становится ключевым фактором, влияющим на эффективность ячейки, и считается последним ограничивающим фактором, близким к теоретическому пределу эффективности. Для уменьшения рекомбинации в месте контакта металла и C-Si, с одной стороны, площадь прямого контакта металла и C-Si уменьшают за счет частичного открытия отверстий на задней стенке ячейки (включая PERC, PERL, и ПЕРТ и др.). Несмотря на то, что эффективность преобразования составляет 25% или близка к ней, в этих элементах по-прежнему существует прямой контакт между металлом и C-Si, процесс открытия задней стороны сложен и может привести к повреждению кремниевого материала при открытии.

Кроме того, метод локального раскрытия приводит к тому, что носители не только отклоняются от пути миграции, перпендикулярного поверхности контакта, но и могут скапливаться у отверстия, что приводит к потере коэффициента заполнения. С другой стороны, необходимо разработать новые контактные схемы, которые могут обеспечить как превосходную пассивацию поверхности, так и разделение и транспортировку носителей без необходимости в отверстиях, то есть пассивирующие контакты, селективные для носителей. Это решение может реализовать пассивацию всей поверхности кремниевой пластины (включая контактную и неконтактную области), и в это время носители являются одномерными переносами между электродами на обоих концах, что выгодно для получить более высокий коэффициент заполнения, а затем повысить эффективность преобразования.