Производство солнечных элементов в основном основано на полупроводниковых материалах. Его принцип работы заключается в использовании фотоэлектрических материалов для поглощения энергии света и создания реакций фотоэлектрического преобразования. В зависимости от используемых материалов солнечные элементы можно разделить на кремниевые солнечные элементы, неорганические соли, такие как соединения мышьяка, галлия III-V, сульфид кадмия, медь, индий, селен и другие многокомпонентные соединения в качестве материалов, большие солнечные элементы, изготовленные из функциональных полимерные материалы, нанокристаллические солнечные элементы и др.

Обычно кристаллический кремний солнечные панели изготавливаются на высококачественных кремниевых пластинах толщиной 350-450 мкм. Эту кремниевую пластину вытягивают или заливают для экономии материалов. В настоящее время тонкопленочные элементы из поликристаллического кремния изготавливаются методами химического осаждения из паровой фазы, включая процессы химического осаждения из паровой фазы при низком давлении (LPCVD) и химическое осаждение из паровой фазы с усилением плазмы (PECVD). Кроме того, методы жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) и напыления также могут быть использованы для изготовления тонкопленочных элементов из поликремния.

В дополнение к процессу рекристаллизации в тонкопленочной батарее из поликристаллического кремния используются почти все технологии изготовления солнечных элементов из монокристаллического кремния, так что эффективность преобразования солнечных элементов, приготовленных таким образом, очевидно, улучшается. Выпиливается из литых слитков кремния.